Pour info, voilà ce que j'ai pu trouver concernant ma mémoire actuelle. Que me conseillez-vous?
Informations générales :
A0 (RAS 1) : 512 (Double Bank)
A1 : Vide
A2 (RAS 3) : 512 (Double Bank)
A3 : Vide
Informations SPD EEPROM (A0) :
Fabricant : Infineon
Part Number : 64D64320HU5C
Numéro de série : 0116F816
Type : DDR-SDRAM PC3200 (200 MHz) - [DDR-400]
Taille : 512 Mo (2 rows, 4 banks)
Module Buffered : Non
Module Registered : Non
Module EPP : Non
Largeur : 64 bits
Correction d'erreur : No
Max. Burst Length : 8
Refresh : Reduced (.5x)7.8 µs, Self Refresh
Voltage : SSTL 2.5v
Fabrication : semaine 36 de 2005
Fréquences supportées : 133 MHz, 166 MHz, 200 MHz
CAS Latency (tCL) : 2 clocks @133 MHz, 2.5 clocks @166 MHz, 3 clocks @200 MHz
RAS to CAS (tRCD) : 2 clocks @133 MHz, 3 clocks @166 MHz, 3 clocks @200 MHz
RAS Precharge (tRP) : 2 clocks @133 MHz, 3 clocks @166 MHz, 3 clocks @200 MHz
Cycle Time (tRAS) : 6 clocks @133 MHz, 7 clocks @166 MHz, 8 clocks @200 MHz
Informations SPD EEPROM (A2) :
Fabricant : Infineon
Part Number : 64D64320HU5C
Numéro de série : 0116F814
Type : DDR-SDRAM PC3200 (200 MHz) - [DDR-400]
Taille : 512 Mo (2 rows, 4 banks)
Module Buffered : Non
Module Registered : Non
Module EPP : Non
Largeur : 64 bits
Correction d'erreur : No
Max. Burst Length : 8
Refresh : Reduced (.5x)7.8 µs, Self Refresh
Voltage : SSTL 2.5v
Fabrication : semaine 36 de 2005
Fréquences supportées : 133 MHz, 166 MHz, 200 MHz
CAS Latency (tCL) : 2 clocks @133 MHz, 2.5 clocks @166 MHz, 3 clocks @200 MHz
RAS to CAS (tRCD) : 2 clocks @133 MHz, 3 clocks @166 MHz, 3 clocks @200 MHz
RAS Precharge (tRP) : 2 clocks @133 MHz, 3 clocks @166 MHz, 3 clocks @200 MHz
Cycle Time (tRAS) : 6 clocks @133 MHz, 7 clocks @166 MHz, 8 clocks @200 MHz
Informations Contrôleur Mémoire :
Contrôleur mémoire : System Memory
Location : Carte mère
Correction d'erreur : Non
Nombre de connecteurs : 4
Taille maximum des modules : 4096 Ko